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Dieses QLC-NAND-SSD der nächsten Generation bietet Verbesserungen der Leistung, Reaktionsgeschwindigkeit und Langlebigkeit in Verbindung mit hoher Speicherkapazität.
Produktbeschreibung | Intel Solid-State Drive 670p Series - Solid-State-Disk - 512 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Typ | Solid-State-Disk - intern |
Kapazität | 512 GB |
Hardwareverschlüsselung | Ja |
Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
NAND-Flash-Speichertyp | 3D Quad-Level Cell (QLC) |
Formfaktor | M.2 2280 |
Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Merkmale | Smart Response Technology, End-to-End-Datenschutz, Rapid Start Technology |
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) | 22 mm x 80 mm |
Allgemein | |
Gerätetyp | Solid-State-Disk - intern |
Kapazität | 512 GB |
Hardwareverschlüsselung | Ja |
Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
NAND-Flash-Speichertyp | 3D Quad-Level Cell (QLC) |
Formfaktor | M.2 2280 |
Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Merkmale | Smart Response Technology, End-to-End-Datenschutz, Rapid Start Technology |
Breite | 22 mm |
Tiefe | 80 mm |
Leistung | |
SSD-Leistung | 185 TB |
Interner Datendurchsatz | 3000 MBps (lesen)/ 1600 MBps (Schreiben) |
4 KB Random Read | 110000 IOPS |
4 KB Random Write | 315000 IOPS |
Zuverlässigkeit | |
MTBF | 1,600,000 Stunden |
Nicht-korrigierbare Datenfehler | 1 pro 10^15 |
Erweiterung und Konnektivität | |
Schnittstellen | 1 x PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
Stromversorgung | |
Energieverbrauch | 80 mW (aktiv) 25 mW (Leerlauf) |
Verschiedenes | |
Verpackung | Retail |
Umgebungsbedingungen | |
Min Betriebstemperatur | 0 °C |
Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
Schocktoleranz (in Betrieb) | 1000 g @ 0,5 ms |
Schocktoleranz (nicht in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms |
Vibrationstoleranz (in Betrieb) | 2.17 g @ 5-700 Hz |
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) | 3.13 g @ 5-800 Hz |