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Samsung 850 EVO Basic MZ-75E4T0B/EU - 4 TB (7 mm Bauhöhe, MLC) - Perfekt für Multimedia, Gaming & Videoschnitt - TurboWrite-Technologie, RAPID-Modus - Maximale Lese-/Schreibgeschwindigkeit: 540 MB/s / 520 MB/s (MZ-75E4T0B/EU)
- Samsung (MZ-75E4T0B/EU)
- ArtNr: 2889183
- GTIN: 8806088090979
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Produktbeschreibung
Was ist 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bisherigen Speichertechnologie?
Die einzigartige und innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung überwindet die bei planarer NAND-Architektur vorhandenen Grenzen hinsichtlich Speicherdichte, Leistung und Lebensdauer. Statt auf verkleinerte Zellen und Zellabstände zu setzen, die auf minimaler Fläche Platz finden, werden bei 3D V-NAND heute 32 Zellschichten übereinander angeordnet, was eine höhere Speicherdichte sowie mehr Leistung bei gleichzeitigen Einsparungen bei der genutzten Fläche ermöglicht.
Optimieren Sie mit der 850 EVO die tägliche Arbeit am Computer mit der unerreichten Lese- und Schreibgeschwindigkeit der TurboWrite-Technologie.
Erleben Sie täglich ein Maximum an Lese- und Schreibleistung mit Samsungs TurboWrite-Technologie. Neben einer um mehr als 10 Prozent höheren Gesamtleistung gegenüber der 840 EVO* sind zufällige Schreibzugriffe bei den Modellen mit 120 und 250 GB** 1,9 Mal so schnell. Die 850 EVO bietet im Vergleich zu ähnlichen Produkten von Mitbewerbern eine überlegene Leistung beim Lesen (540 MB/s) und Schreiben (520 MB/s). Darüber hinaus erhalten Sie eine für Client-PCs optimierte Leistung bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen (Queue Depth) hinweg. *PCmark7 (250 GB): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO) **Direktes Schreiben (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO)
Gehen Sie mit dem verbesserten RAPID-Modus auf die Überholspur
Verbessern Sie mit der Samsung Magician Software jederzeit die Leistung. Sie bietet den RAPID-Modus, die den Arbeitsspeicher (DRAM) des PCs als zusätzlichen Zwischenspeicher verwendet und so die Transferraten nochmals erheblich steigert. Mit der neuen Samsung Magician Software steigt die mögliche Arbeitsspeichernutzung im RAPID-Modus von 1 GB in der vorigen Version auf bis zu 4 GB, wenn im Computer 16 GB DRAM zur Verfügung stehen. Darüber hinaus erhalten Sie eine verdoppelte Leistung (PCMARK7 RAW) bei zufälligen Zugriffen über alle Kommandotiefen hinweg. (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid Mode)
Technische Daten
| Kapazität | 4 TB |
| Bauform | 2.5" |
| Bauhöhe | 7 mm |
| Flash-Memory Typ | MLC (Multi-Layer-Cell) |
| Anschlussart | SATA III (600 Mbyte/s) |
| Geschwindigkeit | Maximale Lesegeschwindigkeit: 540 MB/s Maximale Schreibgeschwindigkeit: 520 MB/s |