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  • Samsung 850 EVO MZ-75E1T0 (MZ-75E1T0B/EU)

Samsung 850 EVO MZ-75E1T0 - SSD - 1TB - intern - 6,4 cm (2.5") - SATA 6Gb/s - Puffer: 1GB - SED (MZ-75E1T0B/EU)

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Produktbeschreibung

Sie wünschen sich mehr Power und Fehlerfreiheit von Ihrem PC? Dann greifen Sie zum Samsung 850 EVO, welcher die neuste 3-Bit 3D V-NAND-Technologie besitzt und so die alltägliche Arbeit verbessert.

Was die Samsung 850 EVO alles bietet
Die neuartige 3-Bit 3D V-NAND-Technologie von Samsung bewältigt die bei planarer NAND-Architektur befindlichen Grenzen bezüglich Lebensdauer, Speicherdichte und Leistung. Bei dieser Technologie werden 32 Zellschichten aufeinander strukturiert, wodurch eine größere Speicherdichte und höheres Leistungsvermögen erzielt wird.

Die Samsung 850 EVO ist die erste SSD von Samsung für private Nutzer mit einer Kapazität von 2 TB. Die 3-Bit 3D V-NAND-Technologie ermöglicht das gemeinsame Speichern von Anwendungen und Daten auf einem Laufwerk. Diese SSD eignet sich besonders für die Bearbeitung von vielen Filmen in UHD-Qualität. Mit der Samsung 850 EVO wird die Produktivität Ihres PCs gesteigert, dies geschieht durch bequemes Multitasking, rasche Programmlade- und Datenzugriffszeiten.

Zudem wird mithilfe der Samsung TurboWrite-Technologie der SSD das Maximum an Schreib- und Leseleistung erzielt (540 MB pro Sekunde und 520 MB/s). Bestellen Sie sich die Samsung 850 EVO, die Ihnen Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer mit enormer Leistung bietet.

Hauptmerkmale

Produktbeschreibung Samsung 850 EVO MZ-75E1T0 - Solid-State-Disk - 1 TB - SATA 6Gb/s
Typ Solid-State-Disk - intern
Kapazität 1 TB
Formfaktor 6.4 cm (2.5")
Schnittstelle SATA 6Gb/s
Datenübertragungsrate 600 MBps
Puffergrösse 1 GB
Merkmale Self Encrypting Drive (SED), Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, DRAM-Cache, DevSleep-Modus, TCG Opal Encryption 2.0, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID mode support, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MEX Controller , S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) 69.85 mm x 100 mm x 6.8 mm
Gewicht 66 g

Technische Daten

Allgemein
Gerätetyp Solid-State-Disk - intern
Kapazität 1 TB
Formfaktor 6.4 cm (2.5")
Schnittstelle SATA 6Gb/s
Puffergröße 1 GB
Merkmale Self Encrypting Drive (SED), Hardware Full Disk Encryption (FDE), TRIM-Unterstützung, Garbage Collection-Technologie, DRAM-Cache, DevSleep-Modus, TCG Opal Encryption 2.0, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), RAPID mode support, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MEX Controller , S.M.A.R.T., 256-Bit-AES, IEEE 1667
Breite 69.85 mm
Tiefe 100 mm
Höhe 6.8 mm
Gewicht 66 g
Leistung
SSD-Leistung 150 TB
Übertragungsrate Laufwerk 600 MBps (extern)
Interner Datendurchsatz 540 MBps (lesen)/ 520 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read 98000 IOPS
4 KB Random Write 90000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF 1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen 1 x SATA 6 Gb/s - 7-poliges Serial ATA
Kompatible Einschübe 1 x intern - 6.4 cm (2.5")
Stromversorgung
Energieverbrauch 3.7 Watt (Lesen)
4.4 Watt (Schreiben)
50 mW (Leerlauf)
4 mW (Sleep-Modus)
Software & Systemanforderungen
Software inbegriffen Samsung Magician Software, Samsung Data Migration
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur 0 °C
Max. Betriebstemperatur 70 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb 5 - 95% (non-condensing)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb) 1500 g @ 0,5 ms Halbsinus-Impuls
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb) 20 g @ 20-2000 Hz

Bewertungen

von R. S. (07.04.2017)
Die SSD werden als Speicher für Massendaten im HP MicroServer verwendet.
von S. A. (15.02.2016)
Toller Ersatz für Notebook Festplatte. Gute Qualität. Schnell geliefert zu einem zivilen Preis.
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