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Samsung 970 EVO MZ-V7E500BW - SSD - verschlüsselt - 500GB - intern - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - 256-Bit-AES - TCG Opal Encryption 2,0 (MZ-V7E500BW)
- Samsung (MZ-V7E500BW)
- ArtNr: 4220438
- GTIN: 8801643205263
-
(10)★★★★★★★★★★
Kapazität
: 500 GB
-
500 GB123,52 €
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Produktbeschreibung
Produktmerkmale:
- Verfügbare Kapazitäten: 250 GB, 500 GB, 1 TB, 2 TB
- Moderne V-NAND Speichertechnologie
- M.2-Formfaktor (2280) mit NVMe-Unterstützung
- Samsung Phoenix-Controller mit bis zu 2 GB LPDDR4-SDRAM
- Sequenzielle Datenübertragungsraten von bis zu 3.500 MB/s lesend bzw. 2.500 MB/s schreibend
- Ein-/Ausgabeoperationen: bis zu 500.000 IOPS (Random Read) bzw. 480.000 IOPS (Random Write)
- Bis zu 1.200 TB TBW
Hauptmerkmale
| Produktbeschreibung | Samsung 970 EVO MZ-V7E500BW - Solid-State-Disk - 500 GB - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Typ | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 500 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | Microsoft eDrive-kompatibel, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, Temperaturüberwchung, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller |
| Abmessungen (Breite x Tiefe x Höhe) | 22 mm x 80 mm x 2.28 mm |
| Gewicht | 7.93 g |
Technische Daten
| Allgemein | |
| Gerätetyp | Solid-State-Disk - intern |
| Kapazität | 500 GB |
| Hardwareverschlüsselung | Ja |
| Verschlüsselungsalgorithmus | 256-Bit-AES |
| NAND-Flash-Speichertyp | 3D triple-level cell (TLC) |
| Formfaktor | M.2 2280 |
| Schnittstelle | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) |
| Merkmale | Microsoft eDrive-kompatibel, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, Temperaturüberwchung, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller |
| Breite | 22 mm |
| Tiefe | 80 mm |
| Höhe | 2.28 mm |
| Gewicht | 7.93 g |
| Leistung | |
| SSD-Leistung | 300 TB |
| Interner Datendurchsatz | 3400 MBps (lesen)/ 2300 MBps (Schreiben) |
| Maximal 4 KB Random Write | 450000 IOPS |
| Maximal 4 KB Random Read | 370000 IOPS |
| Zuverlässigkeit | |
| MTBF | 1,500,000 Stunden |
| Erweiterung und Konnektivität | |
| Schnittstellen | PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card |
| Kompatibles Schaltfeld | M.2 2280 |
| Stromversorgung | |
| Energieverbrauch | 10 Watt (maximal aktiv konfigurierbar) 6 Watt (aktiv) 30 mW (Inaktivität Maximum) |
| Verschiedenes | |
| Kennzeichnung | IEEE 1667 |
| Umgebungsbedingungen | |
| Min Betriebstemperatur | 0 °C |
| Max. Betriebstemperatur | 70 °C |
| Schocktoleranz (in Betrieb) | 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen |